电路与模拟电子

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发布时间:2022-09-12 04:51:18

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资源描述:

一. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),简称MOSFET。分为: 增强型  N沟道、P沟道 耗尽型  N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 (1)结构 4个电极:漏极D, 源极S,栅极G和 衬底B。 符号: 第1页/共56页 当uGS>0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 (2)工作原理 当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的

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发布者:shenlanwa

上传时间:2022-09-12 04:53:06

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